SI1970DH-T1-GE3
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| Teilenummer | SI1970DH-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI1970DH-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.262 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI1970DH-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI1970DH-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI1970DH-T1-GE3, SI1970DH-T1-GE3 Datenblatt
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SI1970DH-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.25W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70-6 (SOT-363) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 10V Leistung - max 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-75-6L Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-75-6L Dual |
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