SH8M41GZETB
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| Teilenummer | SH8M41GZETB |
| PNEDA Teilenummer | SH8M41GZETB |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.770 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SH8M41GZETB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SH8M41GZETB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SH8M41GZETB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.4A, 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 750mA, 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket X1-DFN1612-6 |
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