Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SH8MA2GZETB

SH8MA2GZETB

Nur als Referenz

Teilenummer SH8MA2GZETB
PNEDA Teilenummer SH8MA2GZETB
Beschreibung SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.410
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 20 - Feb 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SH8MA2GZETB Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSH8MA2GZETB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SH8MA2GZETB Datasheet
  • where to find SH8MA2GZETB
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor SH8MA2GZETB
  • SH8MA2GZETB PDF Datasheet
  • SH8MA2GZETB Stock

  • SH8MA2GZETB Pinout
  • Datasheet SH8MA2GZETB
  • SH8MA2GZETB Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • SH8MA2GZETB Price
  • SH8MA2GZETB Distributor

SH8MA2GZETB Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC, 6.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds125pF, 305pF @ 15V
Leistung - max1.4W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMC1017UPD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta), 9.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

SQ4946AEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 25V

Leistung - max

4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMC4040SSDQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1790pF @ 20V

Leistung - max

17.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTM50DUM38TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11200pF @ 25V

Leistung - max

694W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

IPG20N04S408AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2940pF @ 25V

Leistung - max

65W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-10

Kürzlich verkauft

M4A5-32/32-10JNC

M4A5-32/32-10JNC

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 32MC 10NS 44PLCC

LTST-C150KFKT

LTST-C150KFKT

Lite-On Inc.

LED ORANGE CLEAR 1206 SMD

BAT41ZFILM

BAT41ZFILM

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD123

REF195GSZ

REF195GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 5V 8SOIC

AUIRF2804S

AUIRF2804S

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

742792096

742792096

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 1 KOHM 0805 1LN

PDS760-13

PDS760-13

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI5

PIC32MX340F512H-80I/PT

PIC32MX340F512H-80I/PT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP

AD5546BRUZ

AD5546BRUZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT A-OUT 28TSSOP

NR6045T100M

NR6045T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 2.5A 61.1 MOHM

FDS6675BZ

FDS6675BZ

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

SS36FA

SS36FA

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123FA