SH8M51GZETB
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| Teilenummer | SH8M51GZETB |
| PNEDA Teilenummer | SH8M51GZETB |
| Beschreibung | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.604 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SH8M51GZETB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SH8M51GZETB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SH8M51GZETB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A (Ta), 2.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC, 12.5nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF, 1550pF @ 25V |
| Leistung - max | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Tc), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Leistung - max 900mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 325nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18500pF @ 25V Leistung - max 1250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.6nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 6V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B) |
