PMGD290XN,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | PMGD290XN,115 |
| PNEDA Teilenummer | PMGD290XN-115 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.393.986 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
PMGD290XN Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | PMGD290XN,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- PMGD290XN,115 Datasheet
- where to find PMGD290XN,115
- Nexperia
- Nexperia PMGD290XN,115
- PMGD290XN,115 PDF Datasheet
- PMGD290XN,115 Stock
- PMGD290XN,115 Pinout
- Datasheet PMGD290XN,115
- PMGD290XN,115 Supplier
- Nexperia Distributor
- PMGD290XN,115 Price
- PMGD290XN,115 Distributor
PMGD290XN Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 860mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 34pF @ 20V |
| Leistung - max | 410mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSSOP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 103A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 17-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket ISOPLUS-DIL™ |
Hersteller Cree/Wolfspeed Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 450A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 450A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 132mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1330nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 38000pF @ 800V Leistung - max 50mW Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.3A, 6.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-PowerVDFN Lieferantengerätepaket 6-PQFN Dual (2x2) |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
