Transistoren

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IRFHM792TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Auf Lager5.400
IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Leistung - max: 2.7W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Auf Lager7.596
IRFHM8363TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Leistung - max: 2.7W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Auf Lager8.154
IRFHS9351TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: 6-PQFN Dual (2x2)	Auf Lager3.618
IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-PQFN (2x2)	Auf Lager91.506
IRFI4019H-117P Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V Leistung - max: 18W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-5 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220-5 Full-Pak	Auf Lager20.976
IRFI4019HG-117P Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V Leistung - max: 18W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-5 Full Pack (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-220-5 Full-Pak	Auf Lager2.484
IRFI4020H-117P Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 25V Leistung - max: 21W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-5 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220-5 Full-Pak	Auf Lager8.112
IRFI4024H-117P Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V Leistung - max: 14W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-5 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220-5 Full-Pak	Auf Lager2.286
IRFI4212H-117P Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V Leistung - max: 18W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-5 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220-5 Full-Pak	Auf Lager8.496
IRL6297SDTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2245pF @ 10V Leistung - max: 1.7W Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: DirectFET™ Isometric SA Lieferantengerätepaket: DIRECTFET™ SA	Auf Lager4.788
IRL6372PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager16.979
IRL6372TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager32.406
IRLHS6276TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: 6-PQFN Dual (2x2)	Auf Lager4.086
IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VQFN Lieferantengerätepaket: 6-PQFN (2x2)	Auf Lager85.410
IRLHS6376TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-PQFN (2x2)	Auf Lager53
IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-PQFN (2x2)	Auf Lager35.898
IXTL2X180N10T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK Hersteller: IXYS Serie: Trench™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V Leistung - max: 150W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™	Auf Lager7.812
IXTL2X200N085T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 112A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V Leistung - max: 150W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™	Auf Lager2.448
IXTL2X220N075T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 25V Leistung - max: 150W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™	Auf Lager6.192
IXTL2X240N055T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 140A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V Leistung - max: 150W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUSi5-Pak™	Auf Lager3.276
JAN2N7334 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/597 FET-Typ: 4 N-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: MO-036AB	Auf Lager8.154
JAN2N7335 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/599 FET-Typ: 4 P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.654
JANTX2N7334 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/597 FET-Typ: 4 N-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: MO-036AB	Auf Lager2.970
JANTX2N7335 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/599 FET-Typ: 4 P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: MO-036AB	Auf Lager8.316
JANTXV2N7334 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/597 FET-Typ: 4 N-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: MO-036AB	Auf Lager5.796
JANTXV2N7335 Microsemi	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/599 FET-Typ: 4 P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: MO-036AB	Auf Lager8.460
KGF16N05D-400 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 5.5V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 5V Leistung - max: 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 20-UFLGA, CSP Lieferantengerätepaket: 20-WLCSP (2.48x1.17)	Auf Lager4.212
KGF6N05D-400 Renesas Electronics America Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays IC MOSFET N-CH Hersteller: Renesas Electronics America Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 5.5V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 3.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 5.5V Leistung - max: 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 20-UFLGA, CSP Lieferantengerätepaket: 20-WLCSP (2.48x1.17)	Auf Lager2.718
LKK47-06C5 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264 Hersteller: IXYS Serie: CoolMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOPLUS264™ Lieferantengerätepaket: ISOPLUS264™	Auf Lager8.676

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