JANTXV2N7335
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| Teilenummer | JANTXV2N7335 |
| PNEDA Teilenummer | JANTXV2N7335 |
| Beschreibung | MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.460 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JANTXV2N7335 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV2N7335 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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JANTXV2N7335 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/599 |
| FET-Typ | 4 P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 750mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | MO-036AB |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 10V Leistung - max 450mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0) |
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