TPC8208(TE12L,Q)
Nur als Referenz
| Teilenummer | TPC8208(TE12L,Q) |
| PNEDA Teilenummer | TPC8208-TE12L-Q |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TPC8208(TE12L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | TPC8208(TE12L,Q) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- TPC8208(TE12L,Q) Datasheet
- where to find TPC8208(TE12L,Q)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208(TE12L,Q)
- TPC8208(TE12L,Q) PDF Datasheet
- TPC8208(TE12L,Q) Stock
- TPC8208(TE12L,Q) Pinout
- Datasheet TPC8208(TE12L,Q)
- TPC8208(TE12L,Q) Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- TPC8208(TE12L,Q) Price
- TPC8208(TE12L,Q) Distributor
TPC8208(TE12L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 2.5A, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 10V |
| Leistung - max | 450mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP (5.5x6.0) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Sanken Serie - FET-Typ 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 10V Leistung - max 4W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 12-SIP Lieferantengerätepaket 12-SIP |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1464pF @ 25V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V Leistung - max 2.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type D) |
Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 23A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 30V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1478pF @ 10V Leistung - max 2.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
