EPC2102ENGRT
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Teilenummer | EPC2102ENGRT |
PNEDA Teilenummer | EPC2102ENGRT |
Beschreibung | GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE |
Hersteller | EPC |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 53.898 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2102ENGRT Ressourcen
Marke | EPC |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | EPC2102ENGRT |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
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EPC2102ENGRT Technische Daten
Hersteller | EPC |
Serie | eGaN® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 23A (Tj) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
Leistung - max | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Lieferantengerätepaket | Die |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
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