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APTC60HM45T1G

APTC60HM45T1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTC60HM45T1G
PNEDA Teilenummer APTC60HM45T1G
Beschreibung MOSFET 4N-CH 600V 49A SP1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.420
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APTC60HM45T1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTC60HM45T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTC60HM45T1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ4 N-Channel (H-Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.49A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7200pF @ 25V
Leistung - max250W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 1000V

Leistung - max

125W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FC6943010R

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

Leistung - max

125mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SSMini6-F3-B

MCH6662-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

128pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

SC-88FL/MCPH6

NDS9942

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI7923DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

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