IRFHM8363TRPBF
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Teilenummer | IRFHM8363TRPBF |
PNEDA Teilenummer | IRFHM8363TRPBF |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.154 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFHM8363TRPBF Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRFHM8363TRPBF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRFHM8363TRPBF Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
Leistung - max | 2.7W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
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