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AON3613

AON3613

Nur als Referenz

Teilenummer AON3613
PNEDA Teilenummer AON3613
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 2.934
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AON3613 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAON3613
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AON3613, AON3613 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 417,96 KB)
PDFAON3613 Datenblatt Cover
AON3613 Datenblatt Seite 2 AON3613 Datenblatt Seite 3 AON3613 Datenblatt Seite 4 AON3613 Datenblatt Seite 5 AON3613 Datenblatt Seite 6 AON3613 Datenblatt Seite 7 AON3613 Datenblatt Seite 8 AON3613 Datenblatt Seite 9

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AON3613 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN and P-Channel, Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds245pF @ 15V
Leistung - max2.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket8-DFN (2.9x2.3)

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1720pF @ 15V

Leistung - max

4.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5.2x5.55)

2N7002BKS,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

295mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

BSO4804

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

NVDD5894NLT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2103pF @ 25V

Leistung - max

3.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Lieferantengerätepaket

D-Pak 5-Lead

SH8K10SGZETB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Ta), 8.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.8nC, 17.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF, 830F @ 10V

Leistung - max

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

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