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NVDD5894NLT4G

NVDD5894NLT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NVDD5894NLT4G
PNEDA Teilenummer NVDD5894NLT4G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.680
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NVDD5894NLT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVDD5894NLT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVDD5894NLT4G, NVDD5894NLT4G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 119,7 KB)
PDFNVDD5894NLT4G Datenblatt Cover
NVDD5894NLT4G Datenblatt Seite 2 NVDD5894NLT4G Datenblatt Seite 3 NVDD5894NLT4G Datenblatt Seite 4 NVDD5894NLT4G Datenblatt Seite 5 NVDD5894NLT4G Datenblatt Seite 6

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NVDD5894NLT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2103pF @ 25V
Leistung - max3.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
LieferantengerätepaketD-Pak 5-Lead

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

US6J11TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 6V

Leistung - max

320mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 20V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

ZXMN6A25DN8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTM10DHM09T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

139A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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