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IRFI4019H-117P

IRFI4019H-117P

Nur als Referenz

Teilenummer IRFI4019H-117P
PNEDA Teilenummer IRFI4019H-117P
Beschreibung MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 20.976
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IRFI4019H-117P Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFI4019H-117P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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IRFI4019H-117P Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.9V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds810pF @ 25V
Leistung - max18W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-5 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220-5 Full-Pak

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 30V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-SOIC

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V, 52nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V, 2555pF @ 15V

Leistung - max

3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

510mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

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Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A, 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 5A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

Leistung - max

5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V, 85nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V

Leistung - max

34W (Tc)

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