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KGF6N05D-400

KGF6N05D-400

Nur als Referenz

Teilenummer KGF6N05D-400
PNEDA Teilenummer KGF6N05D-400
Beschreibung IC MOSFET N-CH
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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KGF6N05D-400 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKGF6N05D-400
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
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KGF6N05D-400 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)5.5V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id0.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 3.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds630pF @ 5.5V
Leistung - max2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall20-UFLGA, CSP
Lieferantengerätepaket20-WLCSP (2.48x1.17)

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 15V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.36nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

27.9pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 15V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

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