Transistoren

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IRF7757TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V Leistung - max: 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager2.988
IRF7901D1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.208
IRF7901D1TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.694
IRF7901D1TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.628
IRF7902PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.4A, 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V Leistung - max: 1.4W, 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.534
IRF7902TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.4A, 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V Leistung - max: 1.4W, 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.320
IRF7904PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V Leistung - max: 1.4W, 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager25.122
IRF7904TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V Leistung - max: 1.4W, 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.110
IRF7904TRPBF-1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.776
IRF7905PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A, 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager226
IRF7905TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A, 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.704
IRF7907PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.1A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.384
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IRF7910PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager262
IRF7910TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.698
IRF8313PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.834
IRF8313TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager93.444
IRF8513PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V Leistung - max: 1.5W, 2.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.264
IRF8513TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V Leistung - max: 1.5W, 2.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.724
IRF8852TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1151pF @ 20V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager8.658
IRF8910GPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.984
IRF8910GTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.740
IRF8910PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.582
IRF8910TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.470
IRF8915 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager378
IRF8915TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.884
IRF8915TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager27.822
IRF9358PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.744
IRF9358TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager73.791
IRF9362PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.762

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