IRF8513PBF
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| Teilenummer | IRF8513PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF8513PBF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF8513PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF8513PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRF8513PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A, 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 766pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.5W, 2.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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