Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI1028X-T1-GE3

SI1028X-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI1028X-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI1028X-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V SC89-6
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.048
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI1028X-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI1028X-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI1028X-T1-GE3, SI1028X-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 178,42 KB)
PDFSI1028X-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI1028X-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI1028X-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI1028X-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI1028X-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI1028X-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI1028X-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI1028X-T1-GE3 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI1028X-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI1028X-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI1028X-T1-GE3
  • SI1028X-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI1028X-T1-GE3 Stock

  • SI1028X-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI1028X-T1-GE3
  • SI1028X-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI1028X-T1-GE3 Price
  • SI1028X-T1-GE3 Distributor

SI1028X-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs650mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds16pF @ 15V
Leistung - max220mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSC-89-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AO4611

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 30V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMN2028UFDH-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

151pF @ 10V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI3030-8

QS6M4TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSMT6 (SC-95)

AO4914L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

24-SMD

Kürzlich verkauft

744314150

744314150

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 13A 4.3 MOHM SMD

4608X-101-102LF

4608X-101-102LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 1K OHM 8SIP

PBSS4250X,115

PBSS4250X,115

Nexperia

TRANS NPN 50V 2A SOT89

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

0437007.WR

0437007.WR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 32VAC 35VDC 1206

LQH2MCN100K02L

LQH2MCN100K02L

Murata

FIXED IND 10UH 225MA 1.2 OHM SMD

IRF630NPBF

IRF630NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

7427931

7427931

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 91 OHM 2SMD 1LN

74ACT08SC

74ACT08SC

ON Semiconductor

IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC

MMBD7000LT1G

MMBD7000LT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

PIC12F1822-I/SN

PIC12F1822-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 8SOIC

MAX15301AA02+CJK

MAX15301AA02+CJK

Maxim Integrated

IC REG CTRLR BUCK PMBUS 32TQFN