PMDPB56XNEAX
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| Teilenummer | PMDPB56XNEAX |
| PNEDA Teilenummer | PMDPB56XNEAX |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.670 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PMDPB56XNEAX Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMDPB56XNEAX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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PMDPB56XNEAX Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.1A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 256pF @ 15V |
| Leistung - max | 485mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN2020D-6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V Leistung - max 2.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type D) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V Leistung - max 420mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket ChipFET™ |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 10V Leistung - max 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 15V Leistung - max 640mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket ChipFET™ |
