Transistoren

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IRF7324 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.532
IRF7324PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.412
IRF7324TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager382.044
IRF7325 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.390
IRF7325PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.736
IRF7325TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.078
IRF7325TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.358
IRF7328PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager860
IRF7328TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.168
IRF7328TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.500
IRF7329PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager123
IRF7329TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.732
IRF7329TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager92.250
IRF7331 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.176
IRF7331PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.078
IRF7331TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.964
IRF7331TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.092
IRF7331TRPBF-1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.318
IRF7335D1TR Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: FETKY™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 14-SOIC	Auf Lager5.472
IRF7338PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.878
IRF7338TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.088
IRF7341GTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH 55V 5.1A Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V Leistung - max: 2.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.452
IRF7341PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager58.528
IRF7341QTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V Leistung - max: 2.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.146
IRF7341TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager241.194
IRF7342PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager238
IRF7342QTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.462
IRF7342TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.246
IRF7343PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.856
IRF7343QTRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.772

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