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IRF7335D1TR

IRF7335D1TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7335D1TR
PNEDA Teilenummer IRF7335D1TR
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRF7335D1TR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7335D1TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7335D1TR, IRF7335D1TR Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 216,21 KB)
PDFIRF7335D1TR Datenblatt Cover
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IRF7335D1TR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieFETKY™
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 15V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket14-SOIC

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 66mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30000pF @ 10V

Leistung - max

1800W (Tc)

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

92mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

Leistung - max

27W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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PowerPAK® SO-8 Dual

NVMFD5C470NLT1G

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 25V

Leistung - max

3W (Ta), 24W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

DMPH6050SSDQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1525pF @ 30V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF8910PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

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