IRF7342TRPBF
Nur als Referenz
Teilenummer | IRF7342TRPBF |
PNEDA Teilenummer | IRF7342TRPBF |
Beschreibung | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.246 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IRF7342TRPBF Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRF7342TRPBF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRF7342TRPBF Datasheet
- where to find IRF7342TRPBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRF7342TRPBF
- IRF7342TRPBF PDF Datasheet
- IRF7342TRPBF Stock
- IRF7342TRPBF Pinout
- Datasheet IRF7342TRPBF
- IRF7342TRPBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRF7342TRPBF Price
- IRF7342TRPBF Distributor
IRF7342TRPBF Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
Leistung - max | 2W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Alpha & Omega Semiconductor Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 888pF @ 15V Leistung - max 3.1W (Ta), 17W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerSMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 8-DFN (3x3) |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V Leistung - max 680mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket TSMT6 (SC-95) |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 20V Leistung - max 17.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |