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IRF7756TR

IRF7756TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7756TR
PNEDA Teilenummer IRF7756TR
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.904
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 24 - Apr 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7756TR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7756TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7756TR, IRF7756TR Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 180,75 KB)
PDFIRF7756TR Datenblatt Cover
IRF7756TR Datenblatt Seite 2 IRF7756TR Datenblatt Seite 3 IRF7756TR Datenblatt Seite 4 IRF7756TR Datenblatt Seite 5 IRF7756TR Datenblatt Seite 6 IRF7756TR Datenblatt Seite 7 IRF7756TR Datenblatt Seite 8 IRF7756TR Datenblatt Seite 9

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IRF7756TR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 10V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Leistung - max

4.8W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

15-SIP

Lieferantengerätepaket

15-SIP

NTJD4152PT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 20V

Leistung - max

272mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

APTM120A15FG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

748nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20600pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

IRF8313TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI4923DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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