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IRF7343QTRPBF

IRF7343QTRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7343QTRPBF
PNEDA Teilenummer IRF7343QTRPBF
Beschreibung MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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IRF7343QTRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7343QTRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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IRF7343QTRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds740pF @ 25V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 10V

Leistung - max

17.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

IRF7343PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-EMH

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IRLHS6276TRPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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