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IRF7328PBF

IRF7328PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7328PBF
PNEDA Teilenummer IRF7328PBF
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $12,1937
100 ---------- $11,6221
250 ---------- $11,0505
500 ---------- $10,4789
750 ---------- $10,0026
1.000 ---------- $9,5263
Auf Lager 860
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7328PBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7328PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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IRF7328PBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2675pF @ 25V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

605pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 15V

Leistung - max

510mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 30V

Leistung - max

325mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

SIF912EDZ-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 2x5

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® (2x5)

ZDM4206NTC

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

Leistung - max

2.75W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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