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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
LN100LA-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 1200V Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Cascoded) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3000Ohm @ 2mA, 2.8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -25°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VFLGA Lieferantengerätepaket: 6-LFGA (3x3)	Auf Lager3.204
LN60A01EP-LF Monolithic Power Systems Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP Hersteller: Monolithic Power Systems Inc. Serie: - FET-Typ: 3 N-Channel, Common Gate FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.3W Betriebstemperatur: -20°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager4.140
LN60A01ES-LF Monolithic Power Systems Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC Hersteller: Monolithic Power Systems Inc. Serie: - FET-Typ: 3 N-Channel, Common Gate FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.3W Betriebstemperatur: -20°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.058
LN60A01ES-LF-Z Monolithic Power Systems Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC Hersteller: Monolithic Power Systems Inc. Serie: - FET-Typ: 3 N-Channel, Common Gate FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.3W Betriebstemperatur: -20°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.004
LP1030DK1-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180Ohm @ 20mA, 7V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10.8pF @ 25V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -25°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SOT-23-5	Auf Lager4.284
MC7252KDW-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays N+P-CHANNELMOSFETEFFECTSOT-363 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 340mA, 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, 8Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF, 30pF @ 10V, 5V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager284.778
MCB40P1200LB-TUB IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays POWER MOSFET Hersteller: IXYS Serie: CoolMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 58A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 9-SMD Power Module Lieferantengerätepaket: SMPD	Auf Lager8.514
MCCD2004-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 10A Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1955pF @ 10V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2030-6	Auf Lager5.508
MCCD2005-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 8A Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2030-6	Auf Lager5.832
MCCD2007-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7A Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 10V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2030-6	Auf Lager3.096
MCH6601-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.43nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager6.912
MCH6602-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager6.318
MCH6603-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager5.004
MCH6604-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager8.190
MCH6605-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22Ohm @ 40mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.32nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.2pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager2.862
MCH6605-TL-EX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays INTEGRATED CIRCUIT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.048
MCH6606-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET PCH DUAL MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.444
MCH6606-TL-EX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays INTEGRATED CIRCUIT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.510
MCH6613-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA, 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager8.766
MCH6660-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager5.922
MCH6660-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager154.722
MCH6661-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 88pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: SC-88FL/MCPH6	Auf Lager77.466
MCH6662-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager3.580
MCH6662-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: SC-88FL/MCPH6	Auf Lager6.138
MCH6663-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 88pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager5.706
MCH6663-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 88pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: SC-88FL/MCPH6	Auf Lager8.280
MCH6664-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SOT363 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: SC-88FL/MCPH6	Auf Lager22
MCM2301-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays P-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 6V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-6	Auf Lager7.002
MCM3400A-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays N-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-6L	Auf Lager675.120
MCMNP517-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A, 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-6U	Auf Lager25.122

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