MCH6603-TL-H
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| Teilenummer | MCH6603-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | MCH6603-TL-H |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.004 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MCH6603-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MCH6603-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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MCH6603-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 140mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23Ohm @ 40mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7.4pF @ 10V |
| Leistung - max | 800mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 6-MCPH |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket PG-DSO-8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 416pF @ 10V, 536pF @ 10V Leistung - max 700mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket TSOT-26 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket TSMT8 |
