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LN100LA-G

LN100LA-G

Nur als Referenz

Teilenummer LN100LA-G
PNEDA Teilenummer LN100LA-G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 1200V
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 3.204
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LN100LA-G Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLN100LA-G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
LN100LA-G, LN100LA-G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 730,02 KB)
PDFLN100LA-G Datenblatt Cover
LN100LA-G Datenblatt Seite 2 LN100LA-G Datenblatt Seite 3 LN100LA-G Datenblatt Seite 4 LN100LA-G Datenblatt Seite 5 LN100LA-G Datenblatt Seite 6

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LN100LA-G Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Cascoded)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs3000Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-25°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-VFLGA
Lieferantengerätepaket6-LFGA (3x3)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 15V

Leistung - max

640mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

SI1970DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 15V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

752pF @ 15V

Leistung - max

1.54W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V, 12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.3pF @ 3V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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