LN100LA-G Datenblatt
LN100LA-G Datenblatt
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Microchip Technology
Website: http://www.microchip.com/
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LN100LA-G
Microchip Technology Hersteller Microchip Technology Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Cascoded) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 3000Ohm @ 2mA, 2.8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -25°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VFLGA Lieferantengerätepaket 6-LFGA (3x3) |