SI3900DV-T1-GE3
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| Teilenummer | SI3900DV-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI3900DV-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 29.208 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI3900DV-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI3900DV-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI3900DV-T1-GE3, SI3900DV-T1-GE3 Datenblatt
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SI3900DV-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 830mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V Leistung - max 4.3W (Ta), 33W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
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