Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTHD4502NT1G

NTHD4502NT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTHD4502NT1G
PNEDA Teilenummer NTHD4502NT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 42.690
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTHD4502NT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTHD4502NT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTHD4502NT1G, NTHD4502NT1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 124,84 KB)
PDFNTHD4502NT1 Datenblatt Cover
NTHD4502NT1 Datenblatt Seite 2 NTHD4502NT1 Datenblatt Seite 3 NTHD4502NT1 Datenblatt Seite 4 NTHD4502NT1 Datenblatt Seite 5 NTHD4502NT1 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTHD4502NT1G Datasheet
  • where to find NTHD4502NT1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTHD4502NT1G
  • NTHD4502NT1G PDF Datasheet
  • NTHD4502NT1G Stock

  • NTHD4502NT1G Pinout
  • Datasheet NTHD4502NT1G
  • NTHD4502NT1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTHD4502NT1G Price
  • NTHD4502NT1G Distributor

NTHD4502NT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 15V
Leistung - max640mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketChipFET™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPG20N06S4L14ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2890pF @ 25V

Leistung - max

50W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-4

ZXMHN6A07T8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

166pF @ 40V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1430pF @ 25V

Leistung - max

33W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-10

AON6996

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A, 60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5x6)

NTJD4158CT2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA, 880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V

Leistung - max

270mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

Kürzlich verkauft

NC7SP125P5X

NC7SP125P5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V SC70-5

LM1458M

LM1458M

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

SR1LARU

SR1LARU

STMicroelectronics

IC SMART RESET 4PIN 6.0S 6UDFN

FDD8880

FDD8880

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

TCZT8020-PAER

TCZT8020-PAER

Vishay Semiconductor Opto Division

PAIRS, IR, SINGLE PARTS: V420P/S

ADE7754ARZRL

ADE7754ARZRL

Analog Devices

IC ENERGY METERING 3PHASE 24SOIC

EDBA232B2PB-1D-F-D

EDBA232B2PB-1D-F-D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

MC9S12HZ256VAL

MC9S12HZ256VAL

NXP

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 112LQFP

218-4LPSTR

218-4LPSTR

CTS Electrocomponents

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

MM3Z5V1ST1G

MM3Z5V1ST1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 5.1V 300MW SOD323

MC9RS08KA2CSC

MC9RS08KA2CSC

NXP

IC MCU 8BIT 2KB FLASH 8SOIC

BC817-16

BC817-16

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3