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DMC1030UFDB-7

DMC1030UFDB-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMC1030UFDB-7
PNEDA Teilenummer DMC1030UFDB-7
Beschreibung MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 4.374
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Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DMC1030UFDB-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC1030UFDB-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC1030UFDB-7, DMC1030UFDB-7 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 351,95 KB)
PDFDMC1030UFDB-7 Datenblatt Cover
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DMC1030UFDB-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN and P-Channel Complementary
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Leistung - max1.36W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketU-DFN2020-6 (Type B)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 3V

Leistung - max

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

US6

AOP605

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.07nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

161pF @ 15V

Leistung - max

760mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

SI7925DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

DMN2013UFX-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57.4nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2607pF @ 10V

Leistung - max

2.14W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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