Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
NDS9952A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A, 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager24.282
NDS9953A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.960
NDS9955 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.829
NDS9956A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.166
NDS9957 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 30V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.240
NDS9958 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager6.858
NDS9959 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.428
NSTJD1155LT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.798
NSTJD4001NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET P-CH SC88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.190
NTD5C668NLT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays T6 60V LL DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK (SINGLE GAUGE)	Auf Lager6.372
NTD5C688NLT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays T6 60V LL DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK (SINGLE GAUGE)	Auf Lager8.856
NTGD3133PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V Leistung - max: 560mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager3.636
NTGD3148NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager100.080
NTGD3149CT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 387pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager6.192
NTGD4161PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V Leistung - max: 600mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager3.978
NTGD4167CT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A, 1.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager1.080.234
NTHC5513T1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager5.976
NTHC5513T1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 1206A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager114.192
NTHD2102PT1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager4.662
NTHD2102PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager8.820
NTHD3100CT1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager4.932
NTHD3100CT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager101.868
NTHD3100CT3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager4.050
NTHD3100CT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager3.834
NTHD3102CT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A, 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager116.646
NTHD4102PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager730.854
NTHD4102PT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager2.880
NTHD4401PT1 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager6.390
NTHD4401PT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager3.726
NTHD4401PT3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: ChipFET™	Auf Lager2.502

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