NDS9952A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NDS9952A |
| PNEDA Teilenummer | NDS9952A |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 24.282 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NDS9952A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NDS9952A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NDS9952A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.7A, 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
| Leistung - max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 350mA, 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.58nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 10V Leistung - max 800mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 6-MCPH |
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