Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTHD3100CT1G

NTHD3100CT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTHD3100CT1G
PNEDA Teilenummer NTHD3100CT1G
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 101.868
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 10 - Apr 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTHD3100CT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTHD3100CT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTHD3100CT1G, NTHD3100CT1G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 138,04 KB)
PDFNTHD3100CT3G Datenblatt Cover
NTHD3100CT3G Datenblatt Seite 2 NTHD3100CT3G Datenblatt Seite 3 NTHD3100CT3G Datenblatt Seite 4 NTHD3100CT3G Datenblatt Seite 5 NTHD3100CT3G Datenblatt Seite 6 NTHD3100CT3G Datenblatt Seite 7 NTHD3100CT3G Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTHD3100CT1G Datasheet
  • where to find NTHD3100CT1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTHD3100CT1G
  • NTHD3100CT1G PDF Datasheet
  • NTHD3100CT1G Stock

  • NTHD3100CT1G Pinout
  • Datasheet NTHD3100CT1G
  • NTHD3100CT1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTHD3100CT1G Price
  • NTHD3100CT1G Distributor

NTHD3100CT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.9A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds165pF @ 10V
Leistung - max1.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketChipFET™

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPG20N06S2L50ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 19µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

Leistung - max

51W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-4

IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

XP0187800L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Lieferantengerätepaket

SMini5-G1

APTC60DHM24T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

AO4614B

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

MSP5.0A-M3/89A

MSP5.0A-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 10.9V MICROSMP

LNG995PFBW

LNG995PFBW

Panasonic Electronic Components

LED BLUE 5.8MM OVAL T/H

AD7942BRMZ

AD7942BRMZ

Analog Devices

IC ADC 14BIT SAR 10MSOP

MMBT2369LT1G

MMBT2369LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 15V 0.2A SOT23

HLMP-2655

HLMP-2655

Broadcom

LED LT BAR 8.89X8.89MM SGL HER

H1102NL

H1102NL

Pulse Electronics Network

MODULE XFRMR SGL ETHR LAN 16SOIC

ADP151ACPZ-3.3-R7

ADP151ACPZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 200MA 6LFCSP

ICM7555IPA

ICM7555IPA

Maxim Integrated

IC OSC SINGLE TIMER 500KHZ 8DIP

10MQ060NTR

10MQ060NTR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 2.1A SMA

B82422A1103K100

B82422A1103K100

TDK-EPCOS

FIXED IND 10UH 180MA 1.6 OHM SMD

TCZT8020-PAER

TCZT8020-PAER

Vishay Semiconductor Opto Division

PAIRS, IR, SINGLE PARTS: V420P/S

WSL1206R0500FEA

WSL1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206