NTGD4167CT1G
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| Teilenummer | NTGD4167CT1G |
| PNEDA Teilenummer | NTGD4167CT1G |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.080.234 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTGD4167CT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTGD4167CT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTGD4167CT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.6A, 1.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V |
| Leistung - max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket 9-DSBGA |
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