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FMP36-015P

FMP36-015P

Nur als Referenz

Teilenummer FMP36-015P
PNEDA Teilenummer FMP36-015P
Beschreibung MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.912
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FMP36-015P Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFMP36-015P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FMP36-015P, FMP36-015P Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 101,5 KB)
PDFFMP36-015P Datenblatt Cover
FMP36-015P Datenblatt Seite 2 FMP36-015P Datenblatt Seite 3 FMP36-015P Datenblatt Seite 4

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FMP36-015P Technische Daten

HerstellerIXYS
SeriePolar™
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.36A, 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2250pF @ 25V
Leistung - max125W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2480pF @ 25V

Leistung - max

64W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33.6mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

714pF @ 30V

Leistung - max

42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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PowerPAK® SO-8 Dual

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ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 32V

Leistung - max

1.29W

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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