APTC80A10SCTG
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| Teilenummer | APTC80A10SCTG |
| PNEDA Teilenummer | APTC80A10SCTG |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.464 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC80A10SCTG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC80A10SCTG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTC80A10SCTG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 42A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 273nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6761pF @ 25V |
| Leistung - max | 416W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.7A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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