BSL215CH6327XTSA1
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| Teilenummer | BSL215CH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSL215CH6327XTSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 52.638 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSL215CH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSL215CH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSL215CH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSOP-6-6 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330pF @ 40V Leistung - max 39W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power 5x6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie Power-SPM™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 295nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11535pF @ 15V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall EPM15 Lieferantengerätepaket EPM15 |
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 15V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
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