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NTLJD3115PT1G

NTLJD3115PT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTLJD3115PT1G
PNEDA Teilenummer NTLJD3115PT1G
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.794
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NTLJD3115PT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTLJD3115PT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTLJD3115PT1G, NTLJD3115PT1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 138,4 KB)
PDFNTLJD3115PTAG Datenblatt Cover
NTLJD3115PTAG Datenblatt Seite 2 NTLJD3115PTAG Datenblatt Seite 3 NTLJD3115PTAG Datenblatt Seite 4 NTLJD3115PTAG Datenblatt Seite 5 NTLJD3115PTAG Datenblatt Seite 6 NTLJD3115PTAG Datenblatt Seite 7

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NTLJD3115PT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds531pF @ 10V
Leistung - max710mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-WDFN (2x2)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

93mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 20V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

STS4C3F60L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 10V

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

SI4226DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1255pF @ 15V

Leistung - max

3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

US6M2TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A, 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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