Transistoren

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NTLUD3A260PZTBG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (1.6x1.6)	Auf Lager6.498
NTLUD3A50PZTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)	Auf Lager2.214
NTLUD3A50PZTBG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)	Auf Lager4.194
NTLUD4C26NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: µCool™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Leistung - max: 2.63W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)	Auf Lager6.192
NTLUD4C26NTBG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: µCool™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Leistung - max: 2.63W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-UDFN (2x2)	Auf Lager4.842
NTMC1300R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A, 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.806
NTMD2C02R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.076
NTMD2C02R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.256
NTMD2C02R2SG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager8.226
NTMD2P01R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 16V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Leistung - max: 710mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.618
NTMD2P01R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 16V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Leistung - max: 710mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.420
NTMD3P03R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.34A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 24V Leistung - max: 730mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.178
NTMD4820NR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V Leistung - max: 750mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager21.066
NTMD4840NR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Leistung - max: 680mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager19.584
NTMD4N03R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager359.082
NTMD5836NLR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A, 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 20V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.418
NTMD5838NLR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.492
NTMD6601NR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V Leistung - max: 600mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.706
NTMD6N02R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.92A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V Leistung - max: 730mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager6.156
NTMD6N02R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.92A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V Leistung - max: 730mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager24.192
NTMD6N03R2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V Leistung - max: 1.29W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.204
NTMD6N03R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V Leistung - max: 1.29W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.726
NTMD6N04R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V Leistung - max: 1.29W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager8.460
NTMD6P02R2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V Leistung - max: 750mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager51.396
NTMD6P02R2SG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V Leistung - max: 750mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.608
NTMFD4901NFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A, 17.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V Leistung - max: 1.1W, 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Auf Lager3.456
NTMFD4901NFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A, 17.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V Leistung - max: 1.1W, 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Auf Lager2.502
NTMFD4902NFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A, 13.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V Leistung - max: 1.1W, 1.16W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Auf Lager5.112
NTMFD4902NFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.3A, 13.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V Leistung - max: 1.1W, 1.16W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Auf Lager7.218
NTMFD4C20NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.1A, 13.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V Leistung - max: 1.09W, 1.15W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Auf Lager44.869

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