NSTJD1155LT1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NSTJD1155LT1G |
| PNEDA Teilenummer | NSTJD1155LT1G |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.798 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NSTJD1155LT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | NSTJD1155LT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NSTJD1155LT1G Datasheet
- where to find NSTJD1155LT1G
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NSTJD1155LT1G
- NSTJD1155LT1G PDF Datasheet
- NSTJD1155LT1G Stock
- NSTJD1155LT1G Pinout
- Datasheet NSTJD1155LT1G
- NSTJD1155LT1G Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NSTJD1155LT1G Price
- NSTJD1155LT1G Distributor
NSTJD1155LT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| FET-Funktion | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1869pF @ 15V Leistung - max 48W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Hersteller Vishay Siliconix Serie LITTLE FOOT® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A, 10.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 3.3W, 3.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N Channel (Phase Leg) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 295A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 200A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 40mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 644nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 1000V Leistung - max 1250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A, 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 12V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PG-TISON-8 |
