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LN60A01ES-LF-Z

LN60A01ES-LF-Z

Nur als Referenz

Teilenummer LN60A01ES-LF-Z
PNEDA Teilenummer LN60A01ES-LF-Z
Beschreibung MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Hersteller Monolithic Power Systems Inc.
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Auf Lager 5.004
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LN60A01ES-LF-Z Ressourcen

Marke Monolithic Power Systems Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLN60A01ES-LF-Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
LN60A01ES-LF-Z, LN60A01ES-LF-Z Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 230,29 KB)
PDFLN60A01ES-LF Datenblatt Cover
LN60A01ES-LF Datenblatt Seite 2 LN60A01ES-LF Datenblatt Seite 3 LN60A01ES-LF Datenblatt Seite 4 LN60A01ES-LF Datenblatt Seite 5 LN60A01ES-LF Datenblatt Seite 6 LN60A01ES-LF Datenblatt Seite 7

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LN60A01ES-LF-Z Technische Daten

HerstellerMonolithic Power Systems Inc.
Serie-
FET-Typ3 N-Channel, Common Gate
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs190Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.3W
Betriebstemperatur-20°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 12µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 50V

Leistung - max

26W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

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Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

37A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4367pF @ 25V

Leistung - max

312W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APTC60AM35T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Leistung - max

416W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

780mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

83pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Leistung - max

2.16W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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