BSC750N10NDGATMA1
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| Teilenummer | BSC750N10NDGATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSC750N10NDGATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.688 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSC750N10NDGATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSC750N10NDGATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSC750N10NDGATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 50V |
| Leistung - max | 26W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-4 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 20V Leistung - max 2.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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