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MCH6663-TL-W

MCH6663-TL-W

Nur als Referenz

Teilenummer MCH6663-TL-W
PNEDA Teilenummer MCH6663-TL-W
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.280
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MCH6663-TL-W Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH6663-TL-W
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
MCH6663-TL-W, MCH6663-TL-W Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 647,9 KB)
PDFMCH6663-TL-H Datenblatt Cover
MCH6663-TL-H Datenblatt Seite 2 MCH6663-TL-H Datenblatt Seite 3 MCH6663-TL-H Datenblatt Seite 4 MCH6663-TL-H Datenblatt Seite 5 MCH6663-TL-H Datenblatt Seite 6 MCH6663-TL-H Datenblatt Seite 7

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MCH6663-TL-W Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.8A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs188mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds88pF @ 10V
Leistung - max800mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketSC-88FL/MCPH6

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Hersteller

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Serie

HEXFET®

FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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FET-Typ

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

AUIRF7379QTR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI4923DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

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