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GWM180-004X2-SLSAM

GWM180-004X2-SLSAM

Nur als Referenz

Teilenummer GWM180-004X2-SLSAM
PNEDA Teilenummer GWM180-004X2-SLSAM
Beschreibung MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.734
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GWM180-004X2-SLSAM Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGWM180-004X2-SLSAM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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GWM180-004X2-SLSAM Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall17-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketISOPLUS-DIL™

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2940pF @ 25V

Leistung - max

65W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

8-PowerVDFN

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 4V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

STS8DN6LF6AG

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 25V

Leistung - max

3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V

Leistung - max

3.12W, 3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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