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VQ1001P

VQ1001P

Nur als Referenz

Teilenummer VQ1001P
PNEDA Teilenummer VQ1001P
Beschreibung MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Hersteller Vishay Siliconix
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VQ1001P Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVQ1001P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
VQ1001P, VQ1001P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 46,08 KB)
PDFVQ1001P-E3 Datenblatt Cover
VQ1001P-E3 Datenblatt Seite 2 VQ1001P-E3 Datenblatt Seite 3 VQ1001P-E3 Datenblatt Seite 4 VQ1001P-E3 Datenblatt Seite 5

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VQ1001P Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-Typ4 N-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.830mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds110pF @ 15V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket14-DIP

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A, 60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6200pF @ 15V

Leistung - max

46W

Betriebstemperatur

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Vishay Siliconix

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A, 10.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

3.3W, 3.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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Leistung - max

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