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KGF16N05D-400

KGF16N05D-400

Nur als Referenz

Teilenummer KGF16N05D-400
PNEDA Teilenummer KGF16N05D-400
Beschreibung MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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KGF16N05D-400 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKGF16N05D-400
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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KGF16N05D-400 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)5.5V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.95mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id0.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 5V
Leistung - max2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall20-UFLGA, CSP
Lieferantengerätepaket20-WLCSP (2.48x1.17)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1149pF @ 10V

Leistung - max

1.28W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.3A (Tc), 5.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 15V, 528pF @ 15V

Leistung - max

3.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ALD110908ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

810mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMP57D5UV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

29pF @ 25V

Leistung - max

400mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

3W (Ta)

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