IRLHS6376TR2PBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRLHS6376TR2PBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IRLHS6376TR2PBF | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 53 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IRLHS6376TR2PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLHS6376TR2PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRLHS6376TR2PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-PQFN (2x2) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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