IRLHS6276TR2PBF
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| Teilenummer | IRLHS6276TR2PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRLHS6276TR2PBF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.086 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRLHS6276TR2PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLHS6276TR2PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRLHS6276TR2PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | 6-PQFN Dual (2x2) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 183mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 879pF @ 40V Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
